Taula de continguts
8 les relacions: DRAM, EEPROM, Memòria d'ordinador, Memòria FeRAM, Memòria flaix, MRAM, Nano-RAM, Resistive random-access memory.
DRAM
La Dynamic Random Access Memory (DRAM) és una memòria electrònica d'accés aleatori, que es fa servir principalment en els mòduls de memòria RAM i en altres dispositius, com a memòria principal del sistema.
Veure SRAM і DRAM
EEPROM
Fig.1 IC de memòria EEPROM o E2PROM EEPROM o E²PROM, sigles de l'expressió anglesa electrically-erasable programmable read-only memory ("memòria ROM programable i esborrable elèctricament") és un tipus de memòria ROM que pot ser programada, esborrada i reprogramada elèctricament ౼a diferència de l'EPROM, que ha d'esborrar-se mitjançant un aparell que emet raigs ultraviolats౼.
Veure SRAM і EEPROM
Memòria d'ordinador
Diferents mòduls de memòria d'accés aleatori La memòria és l'espai d'entrada / sortida que permet emmagatzemar informació en un ordinador o en dispositius electrònics en general.
Veure SRAM і Memòria d'ordinador
Memòria FeRAM
Fig.1 Estructura FeRAM La Memòria FeRAM (FRAM o RAM ferro-elèctrica) és una memòria RAM similar en construcció a la memòria DRAM però utilitza una capa de material ferro-elèctric en comptes d'una capa de material dielèctric per aconseguir ser no volàtil (mantenir l'estat sense alimentació).
Veure SRAM і Memòria FeRAM
Memòria flaix
La memòria flaix és un medi d'emmagatzematge no volàtil que està desenvolupada a partir de la memòria EEPROM, van sorgir per proporcionar una major funcionalitat i flexibilitat a l'usuari i millorar l'elevat cost de les memòries EEPROM i la poca capacitat.
Veure SRAM і Memòria flaix
MRAM
Fig.1 Estructura MRAM La MRAM (RAM magnetorresistiva) és un tipus de memòria no volàtil desenvolupada des dels anys 90.
Veure SRAM і MRAM
Nano-RAM
Fig.1 Nano-RAM és una mena de memòria de computadora no volátil (NV) d'accés aleatori (RAM) que funciona canviant la posició de nanotubs de carboni dipositats en un substracte de tipus circuit integrat.
Veure SRAM і Nano-RAM
Resistive random-access memory
RAM resistiva (resistive random-access memory, RRAM o ReRAM) és una mena de memòria de computadora no volàtil (NV) d'accés aleatori (RAM) que funciona canviant la resistència elèctrica d'un material dielèctric d'estat sòlid que també s'anomena memristència.