13 les relacions: Condensador, Dielèctric, DRAM, EPROM, Espurneig, Memòria d'accés aleatori, Memòria FeRAM, Memòria flaix, Memristor, MRAM, Nano-RAM, NVRAM, SRAM.
Condensador
Condensadors per a muntatge superficial (SMD), els dotze de l'esquerra, comparats amb dos condensadors tradicionals relativament petits Un condensador és un dispositiu que emmagatzema energia en el camp elèctric que s'estableix entre un parell de conductors els quals estan carregats però amb càrregues elèctriques oposades.
Nou!!: Resistive random-access memory і Condensador · Veure més »
Dielèctric
Un dielèctric o aïllant elèctric, és una substància altament resistent al flux del corrent elèctric.
Nou!!: Resistive random-access memory і Dielèctric · Veure més »
DRAM
La Dynamic Random Access Memory (DRAM) és una memòria electrònica d'accés aleatori, que es fa servir principalment en els mòduls de memòria RAM i en altres dispositius, com a memòria principal del sistema.
Nou!!: Resistive random-access memory і DRAM · Veure més »
EPROM
EPROM. La petita finestra de quars rep llum UV durant l'esborrat. EPROM és un tipus de circuit integrat de memòria ROM no volàtil inventat per l'enginyer.
Nou!!: Resistive random-access memory і EPROM · Veure més »
Espurneig
Descàrrega elèctrica que mostra la forma de cinta dels fils de plasma d'una bobina Tesla. L'espurneig, dins de l'entorn de l'electricitat o enginyeria elèctrica, és un fenomen que es produeix en un aïllant quan el camp elèctric és més fort del que pot suportar aquest aïllament i com a conseqüència es forma un arc elèctric.
Nou!!: Resistive random-access memory і Espurneig · Veure més »
Memòria d'accés aleatori
La memòria d'accés aleatori o RAM és un tipus de memòria informàtica, caracteritzat per un accés directe en qualsevol ordre en un temps constant, sense distinció de la posició on es trobi la informació ni de la posició de l'anterior lectura.
Nou!!: Resistive random-access memory і Memòria d'accés aleatori · Veure més »
Memòria FeRAM
Fig.1 Estructura FeRAM La Memòria FeRAM (FRAM o RAM ferro-elèctrica) és una memòria RAM similar en construcció a la memòria DRAM però utilitza una capa de material ferro-elèctric en comptes d'una capa de material dielèctric per aconseguir ser no volàtil (mantenir l'estat sense alimentació).
Nou!!: Resistive random-access memory і Memòria FeRAM · Veure més »
Memòria flaix
La memòria flaix és un medi d'emmagatzematge no volàtil que està desenvolupada a partir de la memòria EEPROM, van sorgir per proporcionar una major funcionalitat i flexibilitat a l'usuari i millorar l'elevat cost de les memòries EEPROM i la poca capacitat.
Nou!!: Resistive random-access memory і Memòria flaix · Veure més »
Memristor
Intensitat en relació a Voltatge Un memristor, en teoria de circuits elèctrics, és un component passiu amb una relació Voltatge/Intensitat que descriu una corba d'histèresi torçada com la mostrada a la imatge, que indica un comportament diferent segons l'evolució precedent de la càrrega (comportament memorístic).
Nou!!: Resistive random-access memory і Memristor · Veure més »
MRAM
Fig.1 Estructura MRAM La MRAM (RAM magnetorresistiva) és un tipus de memòria no volàtil desenvolupada des dels anys 90.
Nou!!: Resistive random-access memory і MRAM · Veure més »
Nano-RAM
Fig.1 Nano-RAM és una mena de memòria de computadora no volátil (NV) d'accés aleatori (RAM) que funciona canviant la posició de nanotubs de carboni dipositats en un substracte de tipus circuit integrat.
Nou!!: Resistive random-access memory і Nano-RAM · Veure més »
NVRAM
Memòria NVRAM de Dallas Semiconductor. La memòria d'accés aleatori no volàtil, referida a vegades per les seves sigles en anglès NVRAM (Non-volatile random access memory), és un tipus de memòria d'accés aleatori que, com el nom indica, no perd la informació emmagatzemada en aturar-se l'alimentació elèctrica.
Nou!!: Resistive random-access memory і NVRAM · Veure més »
SRAM
SRAM (de l'anglès, Static Random Access Memory) és un tipus de memòria d'ordinador primària que normalment s'utilitza en la implementació de la memòria cau dels ordinadors.