Taula de continguts
7 les relacions: Conducció subllindar, Constant de Boltzmann, Díode, Invers multiplicatiu, MOSFET, Transistor d'efecte camp, Zona de càrrega espacial.
Conducció subllindar
Estructura lateral d'un transistor FET La conducció subllindar o la fuga subllindar o el corrent de drenatge subllindar és el corrent entre la font i el drenatge d'un MOSFET quan el transistor es troba a la regió de subllindar, o regió d'inversió feble, és a dir, per a tensions de porta a font per sota de la tensió de llindar.
Veure Pendent del subllindar і Conducció subllindar
Constant de Boltzmann
La constant de Boltzmann (k o kB) és la constant física que relaciona la temperatura i l'energia.
Veure Pendent del subllindar і Constant de Boltzmann
Díode
Analogia d'un díode amb una vàlvula hidràulica d'un sol sentit (Vàlvula antiretorn) Alguns díodes rectificadors semiconductors En electrònica un díode és un dispositiu electrònic no lineal i polaritzat format per dos elèctrodes actius.
Veure Pendent del subllindar і Díode
Invers multiplicatiu
La funció recíproca: ''y''.
Veure Pendent del subllindar і Invers multiplicatiu
MOSFET
autor.
Veure Pendent del subllindar і MOSFET
Transistor d'efecte camp
Transistor d'efecte camp "N-channel" El transistor d'efecte camp (Field-Effect Transistor o FET, en anglès) és en realitat una família de transistors que es basen en el camp elèctric per controlar la conductivitat d'un "canal" en un material semiconductor.
Veure Pendent del subllindar і Transistor d'efecte camp
Zona de càrrega espacial
En electrònica, la zona d'esgotament, també anomenada zona de càrrega espacial (ZCE), o zona deserta, correspon a la regió que apareix en una unió PN, entre la zona dopada N i la zona dopada P. S'anomena "zona d'esgotament" o "zona de depleció" perquè no té portadors lliures, i s'anomena "zona de càrrega espacial" perquè consta de dues àrees de càrrega elèctrica (a diferència de la resta dels semiconductors N i semiconductors P que són globalment neutres)...