Taula de continguts
7 les relacions: Dopatge (semiconductors), MOSFET, Oblia (electrònica), Semiconductor, Silici, Transistor d'efecte camp, Universitat de Califòrnia a Berkeley.
Dopatge (semiconductors)
En la producció de semiconductors, s'anomena dopatge al procés intencional d'agregar impureses en un semiconductor extremadament pur (també referit com intrínsec) per tal de canviar les seves propietats elèctriques.
Veure Dopatge monocapa і Dopatge (semiconductors)
MOSFET
autor.
Veure Dopatge monocapa і MOSFET
Oblia (electrònica)
Una oblia de silici gravada En microelectrònica, una oblia és una fina planxa de material semiconductor, com per exemple cristall de silici, sobre la qual es construeixen microcircuits mitjançant tècniques de dopat (per exemple, difusió o implantació d'ions), gravat químic i deposició de diversos materials.
Veure Dopatge monocapa і Oblia (electrònica)
Semiconductor
Un semiconductor és un material que es comporta com un aïllant a molt baixa temperatura, però que presenta certa conductivitat elèctrica a temperatura ambient essent possible de controlar aquesta conductivitat per mitjà de l'addició d'impureses.
Veure Dopatge monocapa і Semiconductor
Silici
El silici és un element químic no metàl·lic de la taula periòdica que té el símbol Si i un nombre atòmic de 14.
Veure Dopatge monocapa і Silici
Transistor d'efecte camp
Transistor d'efecte camp "N-channel" El transistor d'efecte camp (Field-Effect Transistor o FET, en anglès) és en realitat una família de transistors que es basen en el camp elèctric per controlar la conductivitat d'un "canal" en un material semiconductor.
Veure Dopatge monocapa і Transistor d'efecte camp
Universitat de Califòrnia a Berkeley
La Universitat de Califòrnia a Berkeley (sovint abreujada UC Berkeley) és una universitat pública situada a Berkeley, a l'Àrea de la Badia de San Francisco (Califòrnia, Estats Units).
Veure Dopatge monocapa і Universitat de Califòrnia a Berkeley