Estem treballant per restaurar l'aplicació de Unionpedia a la Google Play Store
SortintEntrant
🌟Hem simplificat el nostre disseny per a una millor navegació!
Instagram Facebook X LinkedIn

Dispositiu multiporta

Índex Dispositiu multiporta

Un dispositiu multiporta, MOSFET multiporta o transistor d'efecte de camp multiporta (MuGFET) es refereix a un transistor d'efecte de camp d'òxid metàl·lic i semiconductor (MOSFET) que té més d'una porta en un únic transistor.

Taula de continguts

  1. 21 les relacions: AMD, Cèl·lula de memòria (informàtica), Dielèctric high-k, FinFET, Fotolitografia (electrònica), Hitachi, IBM, Intel, Llei de Moore, Microprocessador, MOSFET, Nanoelectrònica, Pla, Samsung, Semiconductor, Silici sobre aïllant, Toshiba, Transistor, Transistor d'efecte camp, TSMC, Universitat de Califòrnia a Berkeley.

AMD

Advanced Micro Devices, Inc. (AMD) és una empresa global que especialitza a dispositius de semiconductor de la fabricació van usar a tramitació d'ordinador.

Veure Dispositiu multiporta і AMD

Cèl·lula de memòria (informàtica)

Disseny per a la implementació de silici d'una cèl·lula de memòria SRAM de sis transistors. La cèl·lula de memòria és el bloc de construcció fonamental de la memòria de l'ordinador.

Veure Dispositiu multiporta і Cèl·lula de memòria (informàtica)

Dielèctric high-k

Fig.1 Comparativa de transistor amb SO2 (esquerra) i High-k (dreta) Dielèctric high-k (en anglès alta k) fa referència a un material d'alt valor de constant dielèctrica o també permitivitat relativa (εr).

Veure Dispositiu multiporta і Dielèctric high-k

FinFET

316x316px FinFET (acrònim de fin field-effect transistor) és un tipus de transistor d'efecte camp de tecnologia 3D (procés no planar) i substracte silici sobre aïllant (SOI), emprat en la fabricació dels actuals microprocessadors.

Veure Dispositiu multiporta і FinFET

Fotolitografia (electrònica)

1349x1349px Fotolitografia (també, litografia òptica o litografia UV), en electrònica, és un procés utilitzat en microfabricació mitjançant l'estampació fotoquímica sobre un substrat de silici anomenat oblia. La fotolitografia fa servir la llum per transferir un model geomètric extremadament petit des d'una fotomàscara a un substrat sensible a la llum.

Veure Dispositiu multiporta і Fotolitografia (electrònica)

Hitachi

Hitachi. Edifici d'Hitachi. Hitachi és una empresa japonesa amb seu al barri de Marunouchi de Tòquio.

Veure Dispositiu multiporta і Hitachi

IBM

IBM és l'acrònim dInternational Business Machines també coneguda col·loquialment com el gegant blau.

Veure Dispositiu multiporta і IBM

Intel

Intel Corporation (conegut com a Intel) és una multinacional nord-americana  d'empreses i companyia de tecnologia amb seu a Santa Clara (Califòrnia), a Silicon Valley.

Veure Dispositiu multiporta і Intel

Llei de Moore

Dades històriques i llei de Moore. L'anomenada Llei de Moore és l'observació que el nombre de transistors en un circuit integrat dens (IC en l'acrònim anglès) es duplica aproximadament cada dos anys.

Veure Dispositiu multiporta і Llei de Moore

Microprocessador

Intel-i860 Un microprocessador és un processador miniaturitzat fins al punt de fer possible de tenir un únic circuit integrat amb totes o la major part de les seves funcionalitats.

Veure Dispositiu multiporta і Microprocessador

MOSFET

autor.

Veure Dispositiu multiporta і MOSFET

Nanoelectrònica

Nanointerruptor de plata: quan la tensió entre un conductor d'or (superior) i un conductor de plata (inferior) supera un punt crític, els ions de plata s'assemblen ràpidament com un llamp per salvar la bretxa a través d'una monocapa de molècules orgàniques.

Veure Dispositiu multiporta і Nanoelectrònica

Pla

perpendiculars a l'espai tridimensional. En matemàtiques un pla és una superfície imaginària de dues dimensions, infinita i sense curvatura.

Veure Dispositiu multiporta і Pla

Samsung

Samsung Group (en coreà 삼성 그룹) és un conglomerat empresarial sud-coreà.

Veure Dispositiu multiporta і Samsung

Semiconductor

Un semiconductor és un material que es comporta com un aïllant a molt baixa temperatura, però que presenta certa conductivitat elèctrica a temperatura ambient essent possible de controlar aquesta conductivitat per mitjà de l'addició d'impureses.

Veure Dispositiu multiporta і Semiconductor

Silici sobre aïllant

Fig.1 Tecnologia SOI Silici sobre aïllant (SOI en anglès) és una tecnologia de fabricació de circuits integrats que utilitza una capa d'aïllant sobre silici com a substrat.

Veure Dispositiu multiporta і Silici sobre aïllant

Toshiba

() és una companyia japonesa dedicada a la manufactura d'aparells elèctrics i electrònics amb seu a Tòquio.

Veure Dispositiu multiporta і Toshiba

Transistor

Foto amb diferents tipus de transistors El transistor és un component electrònic semiconductor d'estat sòlid que s'utilitza com a amplificador o com a commutador, i té tres terminals que s'anomenen col·lector, base i emissor.

Veure Dispositiu multiporta і Transistor

Transistor d'efecte camp

Transistor d'efecte camp "N-channel" El transistor d'efecte camp (Field-Effect Transistor o FET, en anglès) és en realitat una família de transistors que es basen en el camp elèctric per controlar la conductivitat d'un "canal" en un material semiconductor.

Veure Dispositiu multiporta і Transistor d'efecte camp

TSMC

TSMC (acrònim de Taiwan Semiconductor Manufacturing Company) és una empresa del sector electrònic que fabrica semiconductors.

Veure Dispositiu multiporta і TSMC

Universitat de Califòrnia a Berkeley

La Universitat de Califòrnia a Berkeley (sovint abreujada UC Berkeley) és una universitat pública situada a Berkeley, a l'Àrea de la Badia de San Francisco (Califòrnia, Estats Units).

Veure Dispositiu multiporta і Universitat de Califòrnia a Berkeley