Accés més ràpid que el navegador!
44 les relacions: Arsenur de gal·li, Bor, Camp elèctric, Cel·la fotovoltaica, Circuit integrat, Computer History Museum, Conductivitat, Conductivitat elèctrica, Díode emissor de llum, Díode làser, Dopatge (semiconductors), Electrònica d'estat sòlid, Estructura MOS, Fòsfor, Forat (física), Fotodíode, Fragment d'unió a l'antigen, Germani, Greenleaf Whittier Pickard, JFET, John Bardeen, Junció PN, Karl Ferdinand Braun, Laboratoris Bell, Llum, Memòria reprogramable, MOSFET, Oblia (electrònica), Portador de càrrega, Potencial elèctric, Semiconductor, Semiconductor extrínsec, Semiconductor orgànic, Silici, Silici monocristal·lí, Transistor, Transistor bipolar, Transistor d'efecte camp, Transistor de contacte, Tub termoiònic, Universitat de Würzburg, Walter Houser Brattain, William Shockley, Zona de càrrega espacial.
Arsenur de gal·li
Cristall d'arsenur de gal·li. Larsenur de gal·li (GaAs) és un compost de gal·li i arsènic.
Nou!!: Dispositiu semiconductor і Arsenur de gal·li · Veure més »
Bor
El bor és un element químic de la taula periòdica que té el símbol B i nombre atòmic 5.
Nou!!: Dispositiu semiconductor і Bor · Veure més »
Camp elèctric
En física, el camp elèctric és el camp generat per un objecte carregat elèctricament, aquest camp genera una força que actua sobre d'altres objectes també carregats elèctricament.
Nou!!: Dispositiu semiconductor і Camp elèctric · Veure més »
Cel·la fotovoltaica
polzades Símbol de la cel·la fotovoltaica Una cel·la fotovoltaica, també anomenada cèl·lula fotovoltaica o cèl·lula solar és un dispositiu electrònic que permet transformar, mitjançant l'efecte fotovoltaic, l'energia solar en energia elèctrica, o més específicament, l'energia lluminosa (fotons) en electricitat (electrons).
Nou!!: Dispositiu semiconductor і Cel·la fotovoltaica · Veure més »
Circuit integrat
Tres xips dau del circuit integrat al suport. Un circuit integrat (també conegut com a xip o microxip) és una pastilla o xip on es troben tots els components electrònics necessaris per complir una funció.
Nou!!: Dispositiu semiconductor і Circuit integrat · Veure més »
Computer History Museum
El Computer History Museum és un museu nord -americà fundat el 1996 a Mountain View, Califòrnia, quan el Computer Museum of Boston va traslladar la seva col·lecció d'ordinadors mainframe i articles històrics a Moffett Field, preferint centrar-se en exposicions d'ordinadors dirigides als nens.
Nou!!: Dispositiu semiconductor і Computer History Museum · Veure més »
Conductivitat
* Conductivitat elèctrica, capacitat d'un medi o espai físic de conduir l'electricitat.
Nou!!: Dispositiu semiconductor і Conductivitat · Veure més »
Conductivitat elèctrica
La conductivitat elèctrica és una mesura de la capacitat d'un material de deixar passar el corrent elèctric, la seva aptitud per deixar circular lliurement les càrregues elèctriques.
Nou!!: Dispositiu semiconductor і Conductivitat elèctrica · Veure més »
Díode emissor de llum
Díodes LEDDíodes LED ---- A (p) Símbol de Díode LED C ó K (n) Representació simbòlica.
Nou!!: Dispositiu semiconductor і Díode emissor de llum · Veure més »
Díode làser
Díode làser Un díode làser és un dispositiu semiconductor semblant als díodes LED però que sota les condicions adequades emet llum làser.
Nou!!: Dispositiu semiconductor і Díode làser · Veure més »
Dopatge (semiconductors)
En la producció de semiconductors, s'anomena dopatge al procés intencional d'agregar impureses en un semiconductor extremadament pur (també referit com intrínsec) per tal de canviar les seves propietats elèctriques.
Nou!!: Dispositiu semiconductor і Dopatge (semiconductors) · Veure més »
Electrònica d'estat sòlid
Un circuit integrat (IC) en una placa de circuit imprès. S'anomena circuit d'estat sòlid perquè tota l'acció elèctrica del circuit es produeix dins de materials sòlids. La electrònica d'estat sòlid s'ocupa de circuits o dispositius construïts totalment de materials sòlids i en els quals els electrons, o altres portadors de càrrega, estan confinats enterament dins del material sòlid.
Nou!!: Dispositiu semiconductor і Electrònica d'estat sòlid · Veure més »
Estructura MOS
280x280px Lestructura MOS (Metal-Oxide-Semiconductor) consisteix en un condensador, en el que una de les armadures és metàl·lica, anomenada "porta", el dielèctric es forma amb un òxid del semiconductor del substrat, i l'altra armadura és un semiconductor, que anomenarem substrat.
Nou!!: Dispositiu semiconductor і Estructura MOS · Veure més »
Fòsfor
El fòsfor és l'element químic de símbol P i nombre atòmic 15.
Nou!!: Dispositiu semiconductor і Fòsfor · Veure més »
Forat (física)
Quan un electró abandona un àtom d'heli, deixa un buit d'electró al seu lloc. Això fa que l'àtom d'heli quedi carregat positivament En física de l'estat sòlid, un forat és l'absència d'un electró a la banda de valència, que sense la presència del forat seria plena.
Nou!!: Dispositiu semiconductor і Forat (física) · Veure més »
Fotodíode
Fotodíode El fotodíode és un component electrònic i un tipus de fotodetector.
Nou!!: Dispositiu semiconductor і Fotodíode · Veure més »
Fragment d'unió a l'antigen
El fragment d'unió a l'antigen (Fab, de l'anglès antigen-binding fragment) és una regió d'un anticòs que s'uneix als antígens.
Nou!!: Dispositiu semiconductor і Fragment d'unió a l'antigen · Veure més »
Germani
El germani és l'element químic de símbol Ge i nombre atòmic 32.
Nou!!: Dispositiu semiconductor і Germani · Veure més »
Greenleaf Whittier Pickard
Greenleaf Whittier Pickard (14 de febrer de 1877, Portland, Maine - 8 de gener de 1956, Newton, Massachusetts) va ser un pioner estatunidenc de la ràdio.
Nou!!: Dispositiu semiconductor і Greenleaf Whittier Pickard · Veure més »
JFET
Esquema intern del transistor JFET canal P. El JFET (Junction Field-Effect Transistor, en català: transistor d'efecte camp d'unió) és un dispositiu electrònic, és a dir, un circuit que, segons uns valors elèctrics d'entrada, reacciona donant uns valors de sortida.
Nou!!: Dispositiu semiconductor і JFET · Veure més »
John Bardeen
John Bardeen (Madison, EUA 1908 - Boston 1991) fou un físic estatunidenc guardonat dos cops amb el Premi Nobel de Física els anys 1956 amb William Shockley i Walter Brattain per la invenció del transistor i de nou el 1972 amb Leon N. Cooper i John Robert Schrieffer per a una teoria fonamental de la superconductivitat convencional coneguda com a teoria BCS.
Nou!!: Dispositiu semiconductor і John Bardeen · Veure més »
Junció PN
Una junció PN. Es mostra també el símbol en un circuit: el triangle correspon a la part P. Una junció PN, o junció NP, és la unió de dos canalies, un de tipus N i un altre de tipus P. Qualsevol dispositiu electrònic utilitza aquesta Junció.
Nou!!: Dispositiu semiconductor і Junció PN · Veure més »
Karl Ferdinand Braun
Karl Ferdinand Braun (Fulda, Hessen, 6 de juny de 1850 - Nova York, 20 d'abril de 1918) fou un professor universitari, físic i inventor alemany premiat amb el Premi Nobel de Física l'any 1909.
Nou!!: Dispositiu semiconductor і Karl Ferdinand Braun · Veure més »
Laboratoris Bell
Els Laboratoris Bell (en anglès: Bell Labs) són diferents centres d'investigació científica i tecnològica ubicats en més de deu països i que pertanyen a l'empresa estatunidenca Lucent Technologies.
Nou!!: Dispositiu semiconductor і Laboratoris Bell · Veure més »
Llum
Llum filtrant-se a través d'unes finestres La llum és la porció de l'espectre electromagnètic visible per a l'ull humà, però en física el terme també pot ser utilitzat per a altres formes de radiació electromagnètica visible o no.
Nou!!: Dispositiu semiconductor і Llum · Veure més »
Memòria reprogramable
Memòria EAROM de tecnologia MNOS Una memòria reprogramable és un cas particular de memòria no volàtil en què el seu contingut es pot variar després de programada.
Nou!!: Dispositiu semiconductor і Memòria reprogramable · Veure més »
MOSFET
autor.
Nou!!: Dispositiu semiconductor і MOSFET · Veure més »
Oblia (electrònica)
Una oblia de silici gravada En microelectrònica, una oblia és una fina planxa de material semiconductor, com per exemple cristall de silici, sobre la qual es construeixen microcircuits mitjançant tècniques de dopat (per exemple, difusió o implantació d'ions), gravat químic i deposició de diversos materials.
Nou!!: Dispositiu semiconductor і Oblia (electrònica) · Veure més »
Portador de càrrega
Portador de càrrega denota en física una partícula lliure (mòbil i no enllaçada) portadora d'una càrrega elèctrica.
Nou!!: Dispositiu semiconductor і Portador de càrrega · Veure més »
Potencial elèctric
El potencial elèctric és una de les mesures que defineixen l'estat elèctric d'un punt de l'espai.
Nou!!: Dispositiu semiconductor і Potencial elèctric · Veure més »
Semiconductor
Un semiconductor és un material que es comporta com un aïllant a molt baixa temperatura, però que presenta certa conductivitat elèctrica a temperatura ambient essent possible de controlar aquesta conductivitat per mitjà de l'addició d'impureses.
Nou!!: Dispositiu semiconductor і Semiconductor · Veure més »
Semiconductor extrínsec
Estructura de bandes d'un semiconductor de tipus n. Els cercles foscos de la banda de conducció són electrons i els cercles clars de la banda de valència són forats. La imatge mostra que els electrons són els portadors de càrrega majoritaris. Estructura de bandes d'un semiconductor de tipus p. Els cercles foscos de la banda de conducció són electrons i els cercles clars de la banda de valència són forats. La imatge mostra que els forats són el portador de càrrega majoritari Un semiconductor extrínsec és aquell que ha estat dopat; durant la fabricació del cristall semiconductor s'ha incorporat químicament al cristall un oligoelement o producte químic anomenat agent dopant, amb la finalitat de donar-li propietats elèctriques diferents de les del cristall semiconductor pur, que s'anomena semiconductor intrínsec.
Nou!!: Dispositiu semiconductor і Semiconductor extrínsec · Veure més »
Semiconductor orgànic
Els semiconductors orgànics o Polímers semiconductors son compostos orgànics que es comporten com un aïllant a molt baixa temperatura, però que presenten certa conductivitat elèctrica a temperatura ambient actuen de manera similar als semiconductors dopats amb silici o germani.
Nou!!: Dispositiu semiconductor і Semiconductor orgànic · Veure més »
Silici
El silici és un element químic no metàl·lic de la taula periòdica que té el símbol Si i un nombre atòmic de 14.
Nou!!: Dispositiu semiconductor і Silici · Veure més »
Silici monocristal·lí
Silici monocristal·lí El silici monocristal·lí (o, en anglès: "single-crystal silicon", "single-crystal Si", "mono c-Si", o mono-Si) és el material base per xip de silici utilitzat en pràcticament tots els equips electrònics d'avui.
Nou!!: Dispositiu semiconductor і Silici monocristal·lí · Veure més »
Transistor
Foto amb diferents tipus de transistors El transistor és un component electrònic semiconductor d'estat sòlid que s'utilitza com a amplificador o com a commutador, i té tres terminals que s'anomenen col·lector, base i emissor.
Nou!!: Dispositiu semiconductor і Transistor · Veure més »
Transistor bipolar
Símbol per als BJT de tipus PNP i NPN. Un transistor bipolar (BJT, de l'anglès bipolar junction transistor) és un tipus de transistor, un dispositiu que pot funcionar com amplificador o commutador fet amb semiconductors dopats.
Nou!!: Dispositiu semiconductor і Transistor bipolar · Veure més »
Transistor d'efecte camp
Transistor d'efecte camp "N-channel" El transistor d'efecte camp (Field-Effect Transistor o FET, en anglès) és en realitat una família de transistors que es basen en el camp elèctric per controlar la conductivitat d'un "canal" en un material semiconductor.
Nou!!: Dispositiu semiconductor і Transistor d'efecte camp · Veure més »
Transistor de contacte
Un dibuix del primer transistor de contacte disponible comercialment El transistor de contacte va ser el primer tipus de transistor que es va poder demostrar amb èxit.
Nou!!: Dispositiu semiconductor і Transistor de contacte · Veure més »
Tub termoiònic
Un tub termoiònic, tub electrònic, tub de buit, també anomenat, vàlvula termoiònica, vàlvula electrònica, vàlvula de buit, és un component electrònic tancat dins d'un tub de vidre, utilitzat per amplificar, commutar, o modificar un senyal elèctric mitjançant el control del moviment dels electrons en un espai "buit" a molt baixa pressió, o en presència de gasos especialment seleccionats.
Nou!!: Dispositiu semiconductor і Tub termoiònic · Veure més »
Universitat de Würzburg
''Neue Universität'' edifici construït el 1896 La Julius-Maximilians-Universität de Würzburg és una de les universitats amb major tradició a Alemanya.
Nou!!: Dispositiu semiconductor і Universitat de Würzburg · Veure més »
Walter Houser Brattain
Walter Houser Brattain (Xiamen, Xina 1902 - Seattle, EUA 1987) fou un físic nord-americà de Bell Labs Juntament amb els seus companys científics John Bardeen i William Shockley, van inventar el transistor de contacte puntual al desembre del 1947.
Nou!!: Dispositiu semiconductor і Walter Houser Brattain · Veure més »
William Shockley
William Bradford Shockley (13 de febrer de 1910, Londres, Anglaterra - 12 d'agost de 1989, Stanford (Califòrnia), EUA) fou un físic nord-americà guardonat amb el Premi Nobel de Física l'any 1956.
Nou!!: Dispositiu semiconductor і William Shockley · Veure més »
Zona de càrrega espacial
En electrònica, la zona d'esgotament, també anomenada zona de càrrega espacial (ZCE), o zona deserta, correspon a la regió que apareix en una unió PN, entre la zona dopada N i la zona dopada P. S'anomena "zona d'esgotament" o "zona de depleció" perquè no té portadors lliures, i s'anomena "zona de càrrega espacial" perquè consta de dues àrees de càrrega elèctrica (a diferència de la resta dels semiconductors N i semiconductors P que són globalment neutres)...
Nou!!: Dispositiu semiconductor і Zona de càrrega espacial · Veure més »
