Accés més ràpid que el navegador!
82 les relacions: Amplificador de llum, Arsà, Arsènic, Arsenur, Arsenur d'alumini, Arsenur d'alumini de gal·li, Arsenur d'indi, Arsenur d'indi d'alumini, Arsenur d'indi-gal·li, Arsenur de gal·li manganès, Banda prohibida, Bandes prohibides directa i indirecta, Carbur de silici, Cèl·lula solar d'unió Schottky, Cèl·lules solars de pel·lícula prima, Cel·la fotovoltaica, Circuit integrat fotònic, Circuit integrat monolític de microones, Cray Inc., Dau (circuit integrat), Díode, Díode emissor de llum, Díode Gunn, Díode túnel ressonant, Dispositiu semiconductor, Dopatge de modulació, Efecte Hall quàntic fraccionat, Energia solar fotovoltaica, Enllaç C-Ga, Enllaç penjant, Epitàxia, Física dels Led, Feix d'ions, Fosfur d'indi, Fosfur d'indi alumini gal·li, Fosfur d'indi gal·li, Fosfur de gal·li, Fotocàtode, Fotodetector d'infrarojos de pou quàntic, Gal·li, Germani, GOES 15, Grup 13 de la taula periòdica, Grup del carboni, Heterounió, Làser de cascada quàntica, LDMOS, Llista d'índexs de refracció, Llista de compostos inorgànics (bloc p), Mars Climate Orbiter, ..., Materials semiconductors, Matriu d'escaneig electrònic actiu, Mètode Bridgman–Stockbarger, Medi actiu, MESFET, Microones, Modes de fallada, NEAR Shoemaker, Nitrur de gal·li, Oblia epitaxial, Ordinador quàntic de spin qubit, Ordinador quàntic topològic, Panell fotovoltaic, Pantalla electroluminescent, Pou quàntic, Proba-2, Sòlid, Semiconductor, Semiconductor de banda ampla, Semiconductors magnètics, Semimetall, Silici-germani, Sulfur de zinc, Tall de l'oblia, Transistor, Transistor bipolar d'heterounió, Triòxid de gal·li, VCSEL, Velocitat de saturació, Venera 3, Venus Express, Wide Field Infrared Explorer. Ampliar l'índex (32 més) »
Amplificador de llum
Un amplificador de llum és un dispositiu que amplifica la llum visible i la llum propera a l'infraroig d'una imatge de manera que s'il·lumina un escenari feble i es pot veure per una càmera fotogràfica o per l'ull humà.
Nou!!: Arsenur de gal·li і Amplificador de llum · Veure més »
Arsà
L'arsà o hidrur d'arsènic (anomenat antigament arsina) és un compost binari format per àtoms d'arsènic i àtoms d'hidrogen enllaçat mitjançant enllaç covalent, amb fórmula molecular AsH3.
Nou!!: Arsenur de gal·li і Arsà · Veure més »
Arsènic
L'arsènic és un element químic de la taula periòdica el símbol del qual és As i el nombre atòmic és 33.
Nou!!: Arsenur de gal·li і Arsènic · Veure més »
Arsenur
Löllingita de Broken Hill, Yancowinna County, Nova Gal·les del Sud, Austràlia Un arsenur és un compost químic binari d'arsènic amb un metall menys electronegatiu.
Nou!!: Arsenur de gal·li і Arsenur · Veure més »
Arsenur d'alumini
Larsenur d'alumini, en anglès: aluminium arsenide o aluminum arsenide, és un compost químic i un material semiconductor el qual té gairebé la mateixa constant de xarxa cristal·lina que l'arsenur de gal·li i l'arsenur de gal·li i alumini.
Nou!!: Arsenur de gal·li і Arsenur d'alumini · Veure més »
Arsenur d'alumini de gal·li
L'arsenur d' alumini de gal·li (amb fórmula quimica AlxGa1−xAs) és un material semiconductor amb gairebé la mateixa constant de gelosia que el GaAs, però amb un interval de banda més gran.
Nou!!: Arsenur de gal·li і Arsenur d'alumini de gal·li · Veure més »
Arsenur d'indi
L'arsenur d'indi, InAs, o monoarsenur d'indi, és un semiconductor de banda estreta compost per indi i arsènic.
Nou!!: Arsenur de gal·li і Arsenur d'indi · Veure més »
Arsenur d'indi d'alumini
L'arsenur d'indi d'alumini, també d'arsenur d'alumini d'indi o AlInAs (Alx In1−x As), és un material semiconductor amb gairebé la mateixa constant de gelosia que GaInAs, però amb un interval de banda més gran.
Nou!!: Arsenur de gal·li і Arsenur d'indi d'alumini · Veure més »
Arsenur d'indi-gal·li
Larsenur d'indi i gal·li és un material semiconductor d'indi, gal·li i arsènic, utilitzat en fotosensors degut a dues propietats importants: la seva velocitat d'operació, superior a altres semiconductors més comuns com el silici o l'arsenur de gal·li, i la longitud d'ona que emeten i detecten els dispositius fabricats amb aquest material (950nm).
Nou!!: Arsenur de gal·li і Arsenur d'indi-gal·li · Veure més »
Arsenur de gal·li manganès
Arsenur de gal·li manganès, fórmula química és un semiconductor magnètic.
Nou!!: Arsenur de gal·li і Arsenur de gal·li manganès · Veure més »
Banda prohibida
La banda prohibida (en anglès bandgap), a la física de l'estat sòlid i altres camps relacionats, és la diferència d'energia entre la part superior de la banda de valència i la part inferior de la banda de conducció.
Nou!!: Arsenur de gal·li і Banda prohibida · Veure més »
Bandes prohibides directa i indirecta
moment del cristall per a un semiconductor amb una banda buida indirecta, que demostra que un electró no pot passar de l'estat d'energia més alta de la banda de valència (vermell) a l'estat de menor energia de la banda de conducció (verd) sense un canvi en impuls. Aquí, gairebé tota l'energia prové d'un fotó (fletxa vertical), mentre que gairebé tota l'impuls prové d'un fonó (fletxa horitzontal). En física de semiconductors, la banda buida d'un semiconductor pot ser de dos tipus bàsics, una banda buida directa o una banda buida indirecta.
Nou!!: Arsenur de gal·li і Bandes prohibides directa i indirecta · Veure més »
Carbur de silici
El carbur de silici (SiC) és un material ceràmic de carbur covalent d'estequiometria 1:1 i que té una estructura semblant a la diamant.
Nou!!: Arsenur de gal·li і Carbur de silici · Veure més »
Cèl·lula solar d'unió Schottky
Diagrama de bandes de la unió pn a la cèl·lula solar estàndard. En una cèl·lula solar bàsica d'unió Schottky (barrera de Schottky), una interfície entre un metall i un semiconductor proporciona la flexió de la banda necessària per a la separació de càrrega.
Nou!!: Arsenur de gal·li і Cèl·lula solar d'unió Schottky · Veure més »
Cèl·lules solars de pel·lícula prima
Cèl·lules solars de pel·lícula prima, una segona generació de cèl·lules solars fotovoltaiques (PV): Part superior: laminats de silici de pel·lícula prima que s'instal·len en un sostre. Mitjà: cèl·lula solar CIGS sobre un suport de plàstic flexible i panells rígids de CdTe muntats sobre una estructura de suport. Part inferior: laminats de pel·lícula fina als terrats. Les cèl·lules solars de pel·lícula prima es fabriquen dipositant una o més capes primes (pel·lícules primes o TF) de material fotovoltaic sobre un substrat, com ara vidre, plàstic o metall.
Nou!!: Arsenur de gal·li і Cèl·lules solars de pel·lícula prima · Veure més »
Cel·la fotovoltaica
polzades Símbol de la cel·la fotovoltaica Una cel·la fotovoltaica, també anomenada cèl·lula fotovoltaica o cèl·lula solar és un dispositiu electrònic que permet transformar, mitjançant l'efecte fotovoltaic, l'energia solar en energia elèctrica, o més específicament, l'energia lluminosa (fotons) en electricitat (electrons).
Nou!!: Arsenur de gal·li і Cel·la fotovoltaica · Veure més »
Circuit integrat fotònic
Un circuit integrat fotònic (amb acrònim anglès PIC) o circuit òptic integrat és un microxip que conté dos o més components fotònics que formen un circuit en funcionament.
Nou!!: Arsenur de gal·li і Circuit integrat fotònic · Veure més »
Circuit integrat monolític de microones
Fotografia d'un MMIC GaAs (un convertidor ascendent de 2 a 18 GHz). Implementació real MMIC MSA-0686. El circuit integrat de microones monolític, o MMIC, és un tipus de dispositiu de circuit integrat (IC) que funciona a freqüències de microones (300 MHz a 300 GHz).
Nou!!: Arsenur de gal·li і Circuit integrat monolític de microones · Veure més »
Cray Inc.
Cray Inc. és un fabricant nord-americà de supercomputadors amb seu a Seattle, Washington.
Nou!!: Arsenur de gal·li і Cray Inc. · Veure més »
Dau (circuit integrat)
Un «dau» de circuit integrat a molt gran escala (VLSI) Un dau (die en anglès) en el context dels circuits integrats, és un petit bloc de material semiconductor, on es fabrica un determinat circuit funcional.
Nou!!: Arsenur de gal·li і Dau (circuit integrat) · Veure més »
Díode
Analogia d'un díode amb una vàlvula hidràulica d'un sol sentit (Vàlvula antiretorn) Alguns díodes rectificadors semiconductors En electrònica un díode és un dispositiu electrònic no lineal i polaritzat format per dos elèctrodes actius.
Nou!!: Arsenur de gal·li і Díode · Veure més »
Díode emissor de llum
Díodes LEDDíodes LED ---- A (p) Símbol de Díode LED C ó K (n) Representació simbòlica.
Nou!!: Arsenur de gal·li і Díode emissor de llum · Veure més »
Díode Gunn
Un díode Gunn de fabricació russa. una resistència negativa per sobre de la tensió llindar (llindar''V''). Un díode Gunn, també conegut com a dispositiu d'electrons transferits (amb acrònim anglès TED), és una forma de díode, un component electrònic semiconductor de dos terminals, amb resistència negativa, utilitzat en electrònica d'alta freqüència.
Nou!!: Arsenur de gal·li і Díode Gunn · Veure més »
Díode túnel ressonant
al bandgap. Un díode túnel ressonant (RTD) és un díode amb una estructura de túnel ressonant en què els electrons presenten efecte túnel a través d'alguns estats de ressonància a determinats nivells d'energia.
Nou!!: Arsenur de gal·li і Díode túnel ressonant · Veure més »
Dispositiu semiconductor
enllaç.
Nou!!: Arsenur de gal·li і Dispositiu semiconductor · Veure més »
Dopatge de modulació
Il·lustració del dopatge de tipus n i p en un cristall semiconductor com el Si, amb diagrames de nivell d'energia acompanyats que mostren l'efecte del dopatge al nivell de Fermi El dopatge de modulació és una tècnica per fabricar semiconductors de manera que els portadors de càrrega lliure estiguin separats espacialment dels donants.
Nou!!: Arsenur de gal·li і Dopatge de modulació · Veure més »
Efecte Hall quàntic fraccionat
Resistència Hall i resistència elèctrica en l'efecte Hall quàntic. L'efecte Hall quàntic fraccionat (amb acrònim anglès FQHE) és un fenomen físic en el qual la conductància Hall dels electrons 2D mostra altiplans quantificats amb precisió a valors fraccionats de e^2/h.
Nou!!: Arsenur de gal·li і Efecte Hall quàntic fraccionat · Veure més »
Energia solar fotovoltaica
Placa solar fotovoltaic Façana fotovoltaica del Museu de la Ciència i de la Tècnica de Catalunya a Terrassa Instal·lació agrovoltaica on les plaques protegeixen cultius sensibles (aquí tomaquets) a Dornbirn a Àustria Lenergia solar fotovoltaica és una tecnologia per generar energia elèctrica gràcies a cèl·lules fotoelèctriques.
Nou!!: Arsenur de gal·li і Energia solar fotovoltaica · Veure més »
Enllaç C-Ga
Trimetilgal·li Els compostos d'organogal·li (o compostos orgànics del gal·li) són compostos químics que contenen un enllaç químic entre carboni (C) i gal·li (Ga) (enllaç C-Ga).
Nou!!: Arsenur de gal·li і Enllaç C-Ga · Veure més »
Enllaç penjant
a orbitals sp3 híbrids blau-vermell. En química, un enllaç penjant és una valència insatisfet en un àtom immobilitzat.
Nou!!: Arsenur de gal·li і Enllaç penjant · Veure més »
Epitàxia
Lepitàxia es refereix a un tipus de creixement cristal·lí o deposició material en el qual les noves capes es formen sobre un substrat cristal·lí, amb orientacions ben definides respecte a aquest.
Nou!!: Arsenur de gal·li і Epitàxia · Veure més »
Física dels Led
el diagrama de bandes (a baix). Els díodes emissors de llum (LED) produeixen llum (o radiació infraroja) mitjançant la recombinació d'electrons i forats d'electrons en un semiconductor, un procés anomenat "electroluminescència".
Nou!!: Arsenur de gal·li і Física dels Led · Veure més »
Feix d'ions
Un petit coet de feix d'ions que està provant la NASA. Font d'ions Un feix d'ions és un tipus de feix de partícules carregades format per ions.
Nou!!: Arsenur de gal·li і Feix d'ions · Veure més »
Fosfur d'indi
El fosfur d'indi (amb fórmula química InP) és un semiconductor binari format per indi i fòsfor.
Nou!!: Arsenur de gal·li і Fosfur d'indi · Veure més »
Fosfur d'indi alumini gal·li
Estructura cristal·lina del Fosfur d'indi alumini gal·li Fosfur d'indi alumini gal·li (amb fórmula química AlInGaP, InGaAlP, GaInP) és un material semiconductor que proporciona una plataforma per al desenvolupament de nous dispositius fotovoltaics i optoelectrònics multiunió, ja que abasta una banda buida directa des de l'ultraviolat profund fins a l'infraroig.
Nou!!: Arsenur de gal·li і Fosfur d'indi alumini gal·li · Veure més »
Fosfur d'indi gal·li
Estructura cristal·lina del fosfur d'indi gal·li El fosfur d'indi gal·li (amb fórmula química InGaP), també anomenat fosfur d'indi de gal·li (GaInP), és un semiconductor format per indi, gal·li i fòsfor.
Nou!!: Arsenur de gal·li і Fosfur d'indi gal·li · Veure més »
Fosfur de gal·li
El fosfur de gal·li (amb fórmula química GaP), és un material semiconductor compost amb una banda intercalada indirecta de 2,24eV a temperatura ambient.
Nou!!: Arsenur de gal·li і Fosfur de gal·li · Veure més »
Fotocàtode
Fotocàtode ''Cs-K-Sb'' centrat en un tap de molibdè (a) després del creixement a la cambra de preparació i (b) després de la transferència al fotoinjector Un fotocàtode és una superfície dissenyada per convertir la llum (fotons) en electrons mitjançant l'efecte fotoelèctric.
Nou!!: Arsenur de gal·li і Fotocàtode · Veure més »
Fotodetector d'infrarojos de pou quàntic
Perfil de banda de conducció d'un QWIP fotoconductor. El perfil de la banda de conducció s'inclina a mesura que s'aplica una tensió de polarització. Un fotodetector d'infrarojos de pou quàntic (amb acrònim anglès QWIP) és un fotodetector d'infrarojos, que utilitza transicions electròniques entre subbandes en pous quàntics per absorbir fotons.
Nou!!: Arsenur de gal·li і Fotodetector d'infrarojos de pou quàntic · Veure més »
Gal·li
El gal·li és l'element químic de símbol Ga i nombre atòmic 31.
Nou!!: Arsenur de gal·li і Gal·li · Veure més »
Germani
El germani és l'element químic de símbol Ge i nombre atòmic 32.
Nou!!: Arsenur de gal·li і Germani · Veure més »
GOES 15
El GOES 15, conegut com a GOES-P, abans d'entrar en servei, va ser un satèl·lit meteorològic operat per la National Oceanic and Atmospheric Administration dels Estats Units com a part del sistema Geostationary Operational Environmental Satellite.
Nou!!: Arsenur de gal·li і GOES 15 · Veure més »
Grup 13 de la taula periòdica
El grup 13 de la taula periòdica, o grup del bor, està format pels sis elements químics que tenen configuració electrònica ns² np¹, que són: bor (B), alumini (Al), gal·li (Ga), indi (In), tal·li (Tl) i nihoni (Nh), situats en els períodes de la taula periòdica del 2 al 7, respectivament.
Nou!!: Arsenur de gal·li і Grup 13 de la taula periòdica · Veure més »
Grup del carboni
El grup del carboni, o grup 14 de la taula periòdica, està constituït pels elements químics que tenen configuració electrònica ns² np², i conté els següents sis elements: carboni (C), silici (Si), germani (Ge), estany (Sn), plom (Pb) i flerovi (Fl).
Nou!!: Arsenur de gal·li і Grup del carboni · Veure més »
Heterounió
Els tres tipus d'heterounions de semiconductors organitzades per alineació de bandes. Diagrama de bandes per a la bretxa esglaonada, ''n''-''n'' heterounió de semiconductors en l'equilibri. Una heterounió és una interfície entre dues capes o regions de semiconductors diferents.
Nou!!: Arsenur de gal·li і Heterounió · Veure més »
Làser de cascada quàntica
Les transicions entre bandes en làsers semiconductors convencionals emeten un sol fotó. Els làsers de cascada quàntica (amb acrònim anglès QCL) són làsers semiconductors que emeten a la part d'infrarojos mitjà i llunyà de l'espectre electromagnètic i van ser demostrats per primera vegada per Jérôme Faist, Federico Capasso, Deborah Sivco, Carlo Sirtori, Albert Hutchinson i Alfred Cho a Bell Laboratoris el 1994.
Nou!!: Arsenur de gal·li і Làser de cascada quàntica · Veure més »
LDMOS
MOSFET UHF 860MHz transistor LDMOS de potència 150W. Matriu de silici per BLF2045. RF LDMOS 26 V 180 mA 2 GHz 10 dB 30 W SOT467C. Dissenyat per al funcionament de banda ampla (1800 a 2200 MHz). LDMOS (acrònim anglès de semiconductor d'òxid metàl·lic difós lateralment) és un MOSFET planar de doble difusió (transistor d'efecte de camp metall-òxid-semiconductor) utilitzat en amplificadors, inclosos amplificadors de potència de microones, amplificadors de potència de RF i amplificadors de potència d'àudio.
Nou!!: Arsenur de gal·li і LDMOS · Veure més »
Llista d'índexs de refracció
Refracció de la llum En aquest article es presenta una llista d'índexs de refracció per a molts materials representatius d'acord amb la seva categoria (estat, us freqüent en un domini, etc.) i estudiats en la literatura científica.
Nou!!: Arsenur de gal·li і Llista d'índexs de refracció · Veure més »
Llista de compostos inorgànics (bloc p)
No té compostos.
Nou!!: Arsenur de gal·li і Llista de compostos inorgànics (bloc p) · Veure més »
Mars Climate Orbiter
La Mars Climate Orbiter (MQO) va ser una sonda de la NASA llançada des de Cap Canaveral l'11 de desembre del 1998 amb un coet Delta II 7425 i va arribar a Mart el 23 de setembre del 1999, després d'un viatge de 9 mesos i mig.
Nou!!: Arsenur de gal·li і Mars Climate Orbiter · Veure més »
Materials semiconductors
Model de banda directa: banda de valència, banda prohibida i banda de conducció. Els materials semiconductors són nominalment petits aïllants de banda intercalada.
Nou!!: Arsenur de gal·li і Materials semiconductors · Veure més »
Matriu d'escaneig electrònic actiu
L'avió de combat Eurofighter Typhoon amb el carenat del morro retirat, revelant la seva antena de radar Euroradar CAPTOR AESA Una matriu d'escaneig electrònic actiu (AESA) és un tipus d'antena de matriu en fase, que és una antena de matriu controlada per ordinador en què el feix d'ones de ràdio es pot dirigir electrònicament per apuntar en diferents direccions sense moure l'antena.
Nou!!: Arsenur de gal·li і Matriu d'escaneig electrònic actiu · Veure més »
Mètode Bridgman–Stockbarger
Diagrama del mètode Bridgman–Stockbarger. El mètode Bridgman–Stockbarger, o tècnica Bridgman–Stockbarger, rep el nom del físic de Harvard Percy Williams Bridgman (1882–1961) i del físic del MIT Donald C. Stockbarger (1895–1952).
Nou!!: Arsenur de gal·li і Mètode Bridgman–Stockbarger · Veure més »
Medi actiu
En la tecnologia del làser, el medi actiu és el material on es produeix la inversió de població; és a dir, el medi on s'aconsegueix situar més àtoms en un estat excitat que en l'estat de més baixa energia de la transició electrònica utilitzada en el làser.
Nou!!: Arsenur de gal·li і Medi actiu · Veure més »
MESFET
Esquema del transistor MESFET Un MESFET (transistor d'efecte de camp metall-semiconductor) és un dispositiu semiconductor de transistor d'efecte de camp similar a un JFET amb una unió Schottky (metall - semiconductor) en lloc d'una unió p–n per a una porta.
Nou!!: Arsenur de gal·li і MESFET · Veure més »
Microones
Amb el terme microones s'identifica a les ones electromagnètiques la freqüència de les quals és compresa entre 300 MHz i 300 GHz, i la corresponent longitud d'ona és d'1 m a 1 mm.
Nou!!: Arsenur de gal·li і Microones · Veure més »
Modes de fallada
sobreescalfament massiu del xip i ha fos la carcassa de plàstic. Els components electrònics tenen una àmplia gamma de modes de fallada.
Nou!!: Arsenur de gal·li і Modes de fallada · Veure més »
NEAR Shoemaker
El Near Earth Asteroid Rendezvous - Shoemaker (NEAR Shoemaker), reanomenat després del llançament en el 1996 en honor del científic planetari Eugene M. Shoemaker, va ser una sonda espacial robòtica de tipus Discovery dissenyada per la Applied Physics Laboratory de la Johns Hopkins University per a la NASA per estudiar l'asteroide proper a la Terra Eros des d'una òrbita propera en un període d'un any.
Nou!!: Arsenur de gal·li і NEAR Shoemaker · Veure més »
Nitrur de gal·li
El nitrur de gal·li (GaN – anglès: gallium nitride) és un compost binari amb els elements gal·li i nitrogen.
Nou!!: Arsenur de gal·li і Nitrur de gal·li · Veure més »
Oblia epitaxial
'''Figura 1'''. Vistes en secció transversal dels tres modes principals de creixement de pel·lícula prima, incloent (a) Volmer–Weber (VW: formació d'illes), (b) Frank–van der Merwe (FM: capa per capa) i (c) Stranski–Krastanov (SK: capa-plus-illa). Cada mode es mostra per a diferents quantitats de cobertura de superfície, Θ. Una oblia epitaxial (també anomenada oblia epitaxial, epi-oblia, o epiwafer) és una oblia de material semiconductor feta per creixement epitaxial (epitaxia) per al seu ús en fotònica, microelectrònica, espintrònica, o fotovoltaica.
Nou!!: Arsenur de gal·li і Oblia epitaxial · Veure més »
Ordinador quàntic de spin qubit
d'intercanvi. Lordinador quàntic de spin qubit és un ordinador quàntic basat en el control del gir dels portadors de càrrega (electrons i forats d'electrons) en dispositius semiconductors.
Nou!!: Arsenur de gal·li і Ordinador quàntic de spin qubit · Veure més »
Ordinador quàntic topològic
Un ordinador quàntic topològic és un ordinador quàntic teòric proposat pel físic rus-estatunidenc Alexei Kitaev l'any 1997.
Nou!!: Arsenur de gal·li і Ordinador quàntic topològic · Veure més »
Panell fotovoltaic
Els panells solars fotovoltaics, mòduls fotovoltaics o col·lectors solars fotovoltaics (anomenats de vegades panells solars, encara que aquesta denominació inclou altres dispositius),També anomenat mòdul, placa, captador, plafó o col·lector solar fotovoltaic estan formats per un conjunt de cel·les fotovoltaiques que produeixen electricitat a partir de la llum que incideix sobre ells (energia solar).
Nou!!: Arsenur de gal·li і Panell fotovoltaic · Veure més »
Pantalla electroluminescent
Una Pantalla Electroluminescent (ELDs) és un tipus de pantalla plana creada intercalant (com un sandwich) una capa de material electroluminescent com l'arsenur de gal·li (GaAs) entre dues capes conductores.
Nou!!: Arsenur de gal·li і Pantalla electroluminescent · Veure més »
Pou quàntic
Un pou quàntic (quantum well en anglès) és un pou de potencial que confina, en dues dimensions, partícules que originalment tenien llibertat per moure's en tres, forçant-les a ocupar una «zona plana».
Nou!!: Arsenur de gal·li і Pou quàntic · Veure més »
Proba-2
Proba 2 (projecte per autonomia a bord, en anglès acrònim de Project for Onboard Autonomy 2) és un satèl·lit artificial experimental de l'ESA llançat el 2 de novembre de 2009 a la 1:50 UTC des del cosmòdrom de Plesetsk mitjançant un coet Rókot (també escrit Rókot, Рокот en rus) juntament amb el satèl·lit SMOS.
Nou!!: Arsenur de gal·li і Proba-2 · Veure més »
Sòlid
Un cub de gel. El gel és aigua en estat sòlid La solidesa és un estat de la matèria que es caracteritza per un volum i forma definits; un sòlid es resisteix a la deformació, a canviar la seva forma i volum; i a la dilatació i a la compressió.
Nou!!: Arsenur de gal·li і Sòlid · Veure més »
Semiconductor
Un semiconductor és un material que es comporta com un aïllant a molt baixa temperatura, però que presenta certa conductivitat elèctrica a temperatura ambient essent possible de controlar aquesta conductivitat per mitjà de l'addició d'impureses.
Nou!!: Arsenur de gal·li і Semiconductor · Veure més »
Semiconductor de banda ampla
Model de banda directa: banda de valència, banda prohibida i banda de conducció. Model de banda indirecta Comparativa entre diferents materials semiconductors Semiconductors de banda ampla són els materials semiconductors que tenen una banda prohibida més grossa que els semiconductors convencionals, que tenen una banda prohibida de l'ordre de 1-1,5 electró-volt (eV).
Nou!!: Arsenur de gal·li і Semiconductor de banda ampla · Veure més »
Semiconductors magnètics
Memòria RAM magneto-resistiva. Els semiconductors magnètics són materials semiconductors que presenten tant ferromagnetisme (o una resposta similar) com propietats útils de semiconductors.
Nou!!: Arsenur de gal·li і Semiconductors magnètics · Veure més »
Semimetall
Els semimetalls són una de les tres categories principals d'elements químics, juntament amb els metalls i els no-metalls.
Nou!!: Arsenur de gal·li і Semimetall · Veure més »
Silici-germani
Estructura cristal·lina del silici-germani SiGe (o), o silici-germani, és un aliatge amb qualsevol relació molar de silici i germani, és a dir, amb una fórmula molecular de la forma Si1− x Gex.
Nou!!: Arsenur de gal·li і Silici-germani · Veure més »
Sulfur de zinc
Sulfur de zinc és un compost inorgànic amb la fórmula química ZnS.
Nou!!: Arsenur de gal·li і Sulfur de zinc · Veure més »
Tall de l'oblia
url.
Nou!!: Arsenur de gal·li і Tall de l'oblia · Veure més »
Transistor
Foto amb diferents tipus de transistors El transistor és un component electrònic semiconductor d'estat sòlid que s'utilitza com a amplificador o com a commutador, i té tres terminals que s'anomenen col·lector, base i emissor.
Nou!!: Arsenur de gal·li і Transistor · Veure més »
Transistor bipolar d'heterounió
regions esgotades. Corba VBE IC IB d'un transistor HBT El transistor bipolar d'heterounió (amb acrònim anglès HBT) és un tipus de transistor d'unió bipolar (BJT) que utilitza diferents materials semiconductors per a les regions emissor i base, creant una heterounió.
Nou!!: Arsenur de gal·li і Transistor bipolar d'heterounió · Veure més »
Triòxid de gal·li
El triòxid de gal·li (III) és un compost inorgànic amb la fórmula Ga₂O₃.
Nou!!: Arsenur de gal·li і Triòxid de gal·li · Veure més »
VCSEL
Diagrama d'una estructura VCSEL simple. Una estructura de dispositiu VCSEL realista. Aquest és un VCSEL ''de múltiples pous quàntics que'' ''emet fons''. El làser d'emissió de superfície de cavitat vertical (amb acrònim anglès VCSEL) és un tipus de díode làser semiconductor amb emissió de raig làser perpendicular des de la superfície superior, al contrari dels làsers semiconductors convencionals que emeten per la vora, que emeten des de superfícies formades en escindir el xip individual de l'oblia.
Nou!!: Arsenur de gal·li і VCSEL · Veure més »
Velocitat de saturació
L'electró es mou amb una velocitat de deriva oposada a la direcció del corrent. Força del camp elèctric sobre els portaors de càrrega. La velocitat de saturació és la velocitat màxima que aconsegueix un portador de càrrega en un semiconductor, generalment un electró, en presència de camps elèctrics molt elevats.
Nou!!: Arsenur de gal·li і Velocitat de saturació · Veure més »
Venera 3
La Venera 3 (Венера 3) fou una sonda espacial no tripulada del programa Venera de la Unió Soviètica, destinada a l'exploració del planeta Venus mitjançant un aterratge a la superfície del planeta.
Nou!!: Arsenur de gal·li і Venera 3 · Veure més »
Venus Express
La Venus Express (també abreujada VEX) és una sonda orbital de l'Agència Espacial Europea destinada a l'estudi del planeta Venus i, especialment, de la seva atmosfera.
Nou!!: Arsenur de gal·li і Venus Express · Veure més »
Wide Field Infrared Explorer
El Wide Field Infrared Explorer o WIRE és un observatori espacial de la NASA dedicat a observar en l'espectre infraroig.
Nou!!: Arsenur de gal·li і Wide Field Infrared Explorer · Veure més »
Redirigeix aquí:
Arseniur de gal·li, Arseniür de Gali, Arseniür de gali, Arsenur de gali.
