Taula de continguts
12 les relacions: Abrasiu, Alumini, Àngstrom, Circuit integrat, Col·loide, Coure, Fotolitografia (electrònica), Interconnexions de coure, Oblia (electrònica), Poliment, Profunditat de camp, Topografia.
Abrasiu
Un abrasiu és un material, sovint un mineral, que té com a finalitat actuar sobre altres materials amb diferents classes d'esforç mecànic.
Veure Poliment químic mecànic і Abrasiu
Alumini
Lalumini és l'element químic de símbol Al i nombre atòmic 13.
Veure Poliment químic mecànic і Alumini
Àngstrom
Un ångström o àngstrom (Å) és una unitat de longitud equivalent a 0,1 nanòmetres o 1 × 10−10 metres.
Veure Poliment químic mecànic і Àngstrom
Circuit integrat
Tres xips dau del circuit integrat al suport. Un circuit integrat (també conegut com a xip o microxip) és una pastilla o xip on es troben tots els components electrònics necessaris per complir una funció.
Veure Poliment químic mecànic і Circuit integrat
Col·loide
La llet és un col·loide En química un col·loide, suspensió col·loidal o dispersió col·loidal és un sistema físic que està compost per dues fases: una contínua, normalment fluida, i una altra dispersa en forma de partícules, en general sòlides, de grandària mesoscòpica (és a dir, a mig camí entre els mons macroscòpic i microscòpic).
Veure Poliment químic mecànic і Col·loide
Coure
El coure és l'element químic de símbol Cu i nombre atòmic 29.
Veure Poliment químic mecànic і Coure
Fotolitografia (electrònica)
1349x1349px Fotolitografia (també, litografia òptica o litografia UV), en electrònica, és un procés utilitzat en microfabricació mitjançant l'estampació fotoquímica sobre un substrat de silici anomenat oblia. La fotolitografia fa servir la llum per transferir un model geomètric extremadament petit des d'una fotomàscara a un substrat sensible a la llum.
Veure Poliment químic mecànic і Fotolitografia (electrònica)
Interconnexions de coure
Esquema que mostra diferents escenaris en galvanoplastia. (a) velocitat de deposició més ràpida a la part superior, (b) velocitat de deposició uniforme i (c) velocitat de deposició més ràpida a la part inferior (superfill). En tecnologia de semiconductors, les interconnexions de coure són interconnexions fetes de coure.
Veure Poliment químic mecànic і Interconnexions de coure
Oblia (electrònica)
Una oblia de silici gravada En microelectrònica, una oblia és una fina planxa de material semiconductor, com per exemple cristall de silici, sobre la qual es construeixen microcircuits mitjançant tècniques de dopat (per exemple, difusió o implantació d'ions), gravat químic i deposició de diversos materials.
Veure Poliment químic mecànic і Oblia (electrònica)
Poliment
El poliment és una operació mecànica que es realitza a la superfície de materials per canviar-ne el seu aspecte visual, el seu tacte i la seva funcionalitat.
Veure Poliment químic mecànic і Poliment
Profunditat de camp
Exemple de poca profunditat de camp: només la línia central apareix enfocada Imatge amb poca profunditat de camp Imatge amb una profunditat de camp moderada La profunditat de camp en fotografia i cinematografia és l'espai que hi ha entre dos punts, pròxim i llunyà, de manera que els objectes que hi ha entre aquests dos punts queden enfocats.
Veure Poliment químic mecànic і Profunditat de camp
Topografia
Mapa topogràfic de Mauna Kea, Hawaii La topografia (del grec, "lloc", i γράφω graphō, "escriure") és un camp de la ciència planetària que comprèn l'estudi de la forma i característiques de la superfície de la Terra i altres objectes astronòmics incloent planetes, llunes i asteroides.