Accés més ràpid que el navegador!
31 les relacions: Àtom, Circuit integrat, Dielèctric high-k, Dielèctric low-k, FinFET, Fotolitografia ultraviolada extrema (electrònica), IBM, Intel, Llei de Moore, Màscara fotogràfica, Memòria d'accés aleatori, Multiple patterning, Nanòmetre, NEC Corporation, Semiconductor, Silici, Silici sobre aïllant, Ultraviolat, 10 nanòmetres, 130 nanòmetres, 14 nanòmetres, 180 nanòmetres, 22 nanòmetres, 250 nanòmetres, 3 nanòmetres, 32 nanòmetres, 350 nanòmetres, 45 nanòmetres, 5 nanòmetres, 65 nanòmetres, 90 nanòmetres.
Àtom
Un àtom és la unitat constituent més petita de la matèria ordinària que forma un element químic.
Nou!!: 7 nanòmetres і Àtom · Veure més »
Circuit integrat
Tres xips dau del circuit integrat al suport. Un circuit integrat (també conegut com a xip o microxip) és una pastilla o xip on es troben tots els components electrònics necessaris per complir una funció.
Nou!!: 7 nanòmetres і Circuit integrat · Veure més »
Dielèctric high-k
Fig.1 Comparativa de transistor amb SO2 (esquerra) i High-k (dreta) Dielèctric high-k (en anglès alta k) fa referència a un material d'alt valor de constant dielèctrica o també permitivitat relativa (εr).
Nou!!: 7 nanòmetres і Dielèctric high-k · Veure més »
Dielèctric low-k
Fig.1 Capacitats paràsites Dielèctric low-k (en anglès baixa k) fa referència a un material de constant dielèctrica o també permitivitat relativa (εr) de molt baix valor.
Nou!!: 7 nanòmetres і Dielèctric low-k · Veure més »
FinFET
316x316px FinFET (acrònim de fin field-effect transistor) és un tipus de transistor d'efecte camp de tecnologia 3D (procés no planar) i substracte silici sobre aïllant (SOI), emprat en la fabricació dels actuals microprocessadors.
Nou!!: 7 nanòmetres і FinFET · Veure més »
Fotolitografia ultraviolada extrema (electrònica)
Fig.1 Mecanisme de fotolitografia EUV: llínies en vermell (radiació ultraviolada) que és absorbida per la capa de substracte (zona groga i marró) Fig.2 Mecansme d'EUVL: fonts de radiació, màscara a gravar, òptiques reflectives i substracte objectiu. Fotolitografia ultraviolada extrema (també coneguda per EUV o EUVL), en electrònica, és una tecnologia de fotolitografia de pròxima generació que empra llum longitud d'ona d'ultraviolat extrem (radiació ultraviolada d'alta energia) de 13,5 nm.
Nou!!: 7 nanòmetres і Fotolitografia ultraviolada extrema (electrònica) · Veure més »
IBM
IBM és l'acrònim dInternational Business Machines també coneguda col·loquialment com el gegant blau.
Nou!!: 7 nanòmetres і IBM · Veure més »
Intel
Intel Corporation (conegut com a Intel) és una multinacional nord-americana d'empreses i companyia de tecnologia amb seu a Santa Clara (Califòrnia), a Silicon Valley.
Nou!!: 7 nanòmetres і Intel · Veure més »
Llei de Moore
Dades històriques i llei de Moore. L'anomenada Llei de Moore és l'observació que el nombre de transistors en un circuit integrat dens (IC en l'acrònim anglès) es duplica aproximadament cada dos anys.
Nou!!: 7 nanòmetres і Llei de Moore · Veure més »
Màscara fotogràfica
Una fotomàscara Il·lustració esquemàtica d'una fotomáscara (a dalt) i un circuit integrat (a baix) creat amb aquesta màscara. Una màscara fotogràfica, fotomàscara (o simplement màscara, depenent del context) és una pel·lícula amb àrees transparents i zones opaques, que deixen que la llum passi o no passi en un procés d'insolació fotogràfica.
Nou!!: 7 nanòmetres і Màscara fotogràfica · Veure més »
Memòria d'accés aleatori
La memòria d'accés aleatori o RAM és un tipus de memòria informàtica, caracteritzat per un accés directe en qualsevol ordre en un temps constant, sense distinció de la posició on es trobi la informació ni de la posició de l'anterior lectura.
Nou!!: 7 nanòmetres і Memòria d'accés aleatori · Veure més »
Multiple patterning
Fig.1 Cas concret de Double Patterning (estampació doble) aplicant la tècnica de SADP: a partir d'unes estructures incials (a) s'aconsegueix estructures de doble densitat (f) Multiple patterning (en anglès estampació múltiple) és un tipus de tecnologia per a fabricar circuits integrats (IC), desenvolupada mitjançant la tècnica de fotolitografia i amb la finalitat d'augmentar la densitat de les estructures internes dels circuits integrats.
Nou!!: 7 nanòmetres і Multiple patterning · Veure més »
Nanòmetre
Un nanòmetre (símbol nm) equival a 10-9 metres.
Nou!!: 7 nanòmetres і Nanòmetre · Veure més »
NEC Corporation
NEC Corporation (Nippon Denki Kabushiki Gaisha, TYO: 6701), és una companyia multinacional japonesa de TIC, amb seu a Minato, Tòquio (Japó).
Nou!!: 7 nanòmetres і NEC Corporation · Veure més »
Semiconductor
Un semiconductor és un material que es comporta com un aïllant a molt baixa temperatura, però que presenta certa conductivitat elèctrica a temperatura ambient essent possible de controlar aquesta conductivitat per mitjà de l'addició d'impureses.
Nou!!: 7 nanòmetres і Semiconductor · Veure més »
Silici
El silici és un element químic no metàl·lic de la taula periòdica que té el símbol Si i un nombre atòmic de 14.
Nou!!: 7 nanòmetres і Silici · Veure més »
Silici sobre aïllant
Fig.1 Tecnologia SOI Silici sobre aïllant (SOI en anglès) és una tecnologia de fabricació de circuits integrats que utilitza una capa d'aïllant sobre silici com a substrat.
Nou!!: 7 nanòmetres і Silici sobre aïllant · Veure més »
Ultraviolat
L'ultraviolat, radiació ultraviolada o llum ultraviolada (UV) és la radiació electromagnètica amb una longitud d'ona menor que la de la llum visible i major que la dels raigs X. La seva longitud d'ona fa aproximadament de 400 a 15 nanòmetres i presenta energies d'entre 3 i 124 eV.
Nou!!: 7 nanòmetres і Ultraviolat · Veure més »
10 nanòmetres
10 nanòmetres (10 nm) és una tecnologia de fabricació de semiconductors en què els components tenen una dimensió de 10 nm.
Nou!!: 7 nanòmetres і 10 nanòmetres · Veure més »
130 nanòmetres
130 nanòmetres (130 nm) és una tecnologia de fabricació de semiconductors en què els components tenen una dimensió de 130 nm.
Nou!!: 7 nanòmetres і 130 nanòmetres · Veure més »
14 nanòmetres
14 nanòmetres (14 nm) és una tecnologia de fabricació de semiconductors en què els components tenen una dimensió de 14 nm.
Nou!!: 7 nanòmetres і 14 nanòmetres · Veure més »
180 nanòmetres
180 nanòmetres (180 nm) és una tecnologia de fabricació de semiconductors en què els components tenen una dimensió de 180 nm.
Nou!!: 7 nanòmetres і 180 nanòmetres · Veure més »
22 nanòmetres
22 nanòmetres (22 nm) és una tecnologia de fabricació de semiconductors en què els components tenen una dimensió de 22 nm.
Nou!!: 7 nanòmetres і 22 nanòmetres · Veure més »
250 nanòmetres
250 nanòmetres (250 nm) és una tecnologia de fabricació de semiconductors en què els components tenen una dimensió de 250 nm.
Nou!!: 7 nanòmetres і 250 nanòmetres · Veure més »
3 nanòmetres
3 nanòmetres (3 nm) és una tecnologia de fabricació de semiconductors en què els components tenen una grandària de 3 nm.
Nou!!: 7 nanòmetres і 3 nanòmetres · Veure més »
32 nanòmetres
32 nanòmetres (32 nm) és una tecnologia de fabricació de semiconductors en què els components tenen una dimensió de 32 nm.
Nou!!: 7 nanòmetres і 32 nanòmetres · Veure més »
350 nanòmetres
350 nanòmetres (350 nm) és una tecnologia de fabricació de semiconductors en què els components tenen una dimensió de 350 nm.
Nou!!: 7 nanòmetres і 350 nanòmetres · Veure més »
45 nanòmetres
45 nanòmetres (45 nm) és una tecnologia de fabricació de semiconductors en què els components tenen una dimensió de 45 nm.
Nou!!: 7 nanòmetres і 45 nanòmetres · Veure més »
5 nanòmetres
5 nanòmetres (5 nm) és una tecnologia de fabricació de semiconductors en què els components tenen una dimensió de 5 nm.
Nou!!: 7 nanòmetres і 5 nanòmetres · Veure més »
65 nanòmetres
65 nanòmetres (65 nm) és una tecnologia de fabricació de semiconductors en què els components tenen una dimensió de 65 nm.
Nou!!: 7 nanòmetres і 65 nanòmetres · Veure més »
90 nanòmetres
90 nanòmetres (90 nm) és una tecnologia de fabricació de semiconductors en què els components tenen una dimensió de 90 nm.
Nou!!: 7 nanòmetres і 90 nanòmetres · Veure més »
